RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
2417
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link