RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2962
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link