RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2589
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link