RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3337
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link