RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3041
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link