RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2504
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link