RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2841
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link