RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
47
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3020
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link