RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
4.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
4.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1310
2759
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link