RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3158
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link