RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2429
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link