RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2652
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link