RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2919
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link