RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2841
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link