RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3716
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link