RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3077
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link