RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
65
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1932
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link