RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
48
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3482
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link