RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
48
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
4167
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link