RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
53
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
53
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2301
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link