RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
70
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
70
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
1934
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link