RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
43
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2794
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML32GX3M4A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link