RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3158
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link