RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3547
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link