RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3264
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link