RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2416
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link