RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3835
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link