RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3847
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link