RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2681
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link