RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
1997
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link