RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
79
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
79
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1710
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link