RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2281
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link