Porównanie pamięci RAM SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wynik ogólny

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 77

Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.1 1,884.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 6400

Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

564 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns