RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
59
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2181
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link