RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
2110
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link