RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2815
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link