RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
41
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3668
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link