RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
79
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
79
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
1330
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link