RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
38
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3427
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link