RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2159
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
INTENSO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link