RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2024
1974
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link