RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
44
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2374
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link