SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.3 left arrow 6.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 8500
    Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 46
    Wokół strony -28% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 36
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.3 left arrow 6.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2048 left arrow 867
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania