RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2762
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link