RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2596
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link