RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
44
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2807
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link