RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1605
2782
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link