RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2528
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link