RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
66
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
44
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2374
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CM0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link