RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
2272
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link